ตะกอนอสัณฐานสมบูรณ์ได้มาจากการไฮโดรไลซิส

ตะกอนอสัณฐานสมบูรณ์ได้มาจากการไฮโดรไลซิสของ [Ga(OC 3 H 7 ) 3 ] ด้วยน้ำบริสุทธิ์ ที่ อุณหภูมิห้องและเมื่อให้ความร้อนตะกอนนี้ที่อุณหภูมิ 500 °C อนุภาค β-Ga 2 O 3ขนาดนาโน (ขนาด ∼10–20 นาโนเมตร) ได้รับ ในทางกลับกัน อนุภาค α-GaOOH เปลี่ยนที่ 500 °C เป็น α-Ga 2 O 3เป็นเฟสเดียว เมื่อให้ความร้อนที่ 900 °C ใน แกลเลียม ทุกกรณี ตรวจพบ เฉพาะ β-Ga 2 O 3 เท่านั้น การวิเคราะห์ XRD แสดงให้เห็นการพึ่งพาอย่างมากขององค์ประกอบเฟสของตัวอย่างในสภาพการทดลองของการเตรียมซินฮาและคณะ ศึกษาการตกผลึกและคุณสมบัติทางแสงของ β-Ga 2 O 3 ขนาดจำกัด ในนาโนคอมโพสิตที่ได้จากโซล-เจล Ga 2 O 3 : SiO 2 พวกเขาพบว่าอนุภาคนาโนแกลเลียมออกไซด์ที่ฝังอยู่ในซิลิกาเมทริกซ์ที่มีอัตราส่วนโมลาร์ต่างกันถูกสังเคราะห์ด้วยวิธีโซล-เจล ตัวอย่างนาโนคอมโพสิตที่เป็นผงถูกหลอมที่อุณหภูมิ 400, 500 และ 900 °C อนุภาคนาโนของแกลเลียมออกไซด์ (2–5 นาโนเมตร) ตกผลึกในเฟส β ที่อุณหภูมิต่ำมาก (∼ 400 °C) เมื่อเทียบกับอุณหภูมิที่คาดไว้ (>700 °C) ซึ่งบ่งชี้ถึงอุณหภูมิที่ลดลงของการเกิดผลึก ภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้ นี่อาจเป็นลักษณะเฉพาะของพฤติกรรมของอนุภาคขนาดนาโนที่จำกัด การบ่งชี้เฉพาะพันธะ Ga–O และพันธะ Si–O–Si ในสเปกตรัม FTIR และจุดสูงสุดของแกลเลียม ออกซิเจน และซิลิกอนในการวิเคราะห์ด้วยรังสีเอกซ์แบบกระจายพลังงาน (EDAX) ยืนยันว่าไม่มีสิ่งเจือปนใดๆ การศึกษา โฟโตลูมิเนสเซนซ์ที่อุณหภูมิห้องของตัวอย่างแสดงให้เห็นการปล่อยสีน้ำเงินเข้มที่ ∼460 นาโนเมตรการเจือเปลวไฟ H 2 /O 2 /Ar แบบผสมล่วงหน้าด้วยไตรเมทิลแกลเลียมเจือจางในเครื่องปฏิกรณ์ความดันต่ำ

อนุภาคนาโนขนาด Ga 2 O 3ในช่วงขนาดระหว่าง 2 และ 7 นาโนเมตรถูกสังเคราะห์ใน H 2 /O 2 /Ar premixed-flame ในเครื่องปฏิกรณ์ความดันต่ำที่เจือด้วยความเข้มข้นของไตรเมทิลแกลเลียมที่เจือจางโดย Ifeacho et al Ga 2 O 3 ที่สังเคราะห์ขึ้น แสดงสัณฐานวิทยาทรงกลมและมีปริมาณอสัณฐานสูง ซึ่งเป็นเรื่องปกติสำหรับออกไซด์ของโลหะกลุ่ม IIIA ที่สังเคราะห์ในเปลวไฟ การ ตอบสนองแบบกว้างที่สังเกตได้จาก XRD diffractogram บ่งชี้ถึงความเป็นผลึก ที่ไม่ดี การหลอมด้วยความร้อนของผง Ga 2 O 3 ที่สังเคราะห์ขึ้นทำให้ได้ผลึก β-Ga 2 O 3ที่มีโครงสร้างแบบโมโนคลินิก